有一种新开发的半导体材料辉钼矿(molybdenite，mos2)，其功耗据说仅有矽材料的十万分之一，又能用以制作出尺寸更小的电晶体。瑞士洛桑理工学院(ecolepolytechnique federale de lausanne，epgl)的研究人员并指出，这种新一代半导体材料具备能隙(bandgap)的特性也打败石墨烯(graphene)。
epgl指出，辉钼矿是一种矿藏丰富的材料，已经运用在钢铁合金以及做为润滑油的添加剂；但该校的奈米电子与结构实验室(laboratoryof nanoscale electronics and structures，lanes)是首创开发采用该种材料的半导体元件。epgl教授andraskis表示：“它具有可制作出超小电晶体、led与太阳能电池的十足潜力。”
根据kis的说法，与属于三维结晶体的矽大不同，辉钼矿有一种主要的特性，也就是本身为二维材料，能制作出厚度仅6.5埃(angstrom，十分之一奈米)的薄膜，而且制造方法相对容易；其电子迁移率则与2奈米厚度的矽材料层相当。
此外，不同于零能隙的石墨烯，辉钼矿具备1.8电子伏特(electron-volts)的能隙，介于砷化镓(galliumarsenide，能隙1.4电子伏特)与氮化镓(galliumnitride，能隙3.4电子伏特)之间，也意味着可用该种材料制作出能同时具备电子与光学功能的晶片。
资讯来源：钼网站