新一期英国《自然•纳米技术》杂志日前刊登报告说，单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性，有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯，可望成为下一代半导体材料。
辉钼是钼的二硫化物辉钼在自然界中含量丰富，常用于冶炼合金等领域，但之前对它电学性能的研究却不多，而实际上单层辉钼材料具有良好的半导体特性。
与现在广泛使用的硅材料相比，辉钼具有两个主要优点：一是达到同等效用的体积更小。只有０.６５纳米厚的辉钼材料，电子在其中能像在２纳米厚的硅材料中那样自如移动，同时，现有技术还无法将硅材料制作得跟辉钼材料一样薄；二是能耗更低。据估计，辉钼制成的晶体管在待机状态下消耗的能量只是硅晶体管的约十万分之一。
本次研究关注的是只有一层二硫化钼分子的辉钼材料，它与现在的研究热门门材料，有关它的研究成果获得２０１０年诺贝尔物理学奖。 但报告说，半导体材料的一个重要特征是具有“能隙”，以便制作半导体开关。辉钼能隙的值非常理想，而石墨烯的能隙为零。
领导研究的安德拉斯•基什教授表示，辉钼是良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景。
资讯来源：钼网站